1 反滲透膜元件的污(wu)染(ran)與清洗

在正常運行一段時間(jian)后，反滲透膜元件會受到給(gei)水中可能存在的(de)(de)懸(xuan)浮物(wu)或難溶(rong)鹽的(de)(de)污染，這些污染中常見(jian)的(de)(de)是(shi)碳酸鈣沉(chen)淀、硫(liu)酸鈣沉(chen)淀、金屬(鐵、錳、銅、鎳(nie)、鋁等)氧(yang)化物(wu)沉(chen)淀、硅沉(chen)積物(wu)、無(wu)機(ji)或有(you)機(ji)沉(chen)積混合物(wu)、NOM天然有(you)機(ji)物(wu)質、合成(cheng)有(you)機(ji)物(wu)(如(ru)：阻垢劑/分散劑，陽(yang)離子(zi)聚合電解(jie)質)、微生物(wu) (藻(zao)類、霉菌、真菌)等污染。

污(wu)染(ran)性質和污(wu)染(ran)速度取決(jue)于各(ge)種因素，如(ru)給水水質和系統(tong)回收(shou)率(lv)。通常(chang)污(wu)染(ran)是(shi)漸進(jin)發展的(de)(de)，如(ru)不盡早控制，污(wu)染(ran)將會(hui)在相對(dui)較短的(de)(de)時(shi)間(jian)內損壞膜元(yuan)件(jian)。當(dang)膜元(yuan)件(jian)確證已被(bei)污(wu)染(ran)，或(huo)是(shi)在長期停機之(zhi)前(qian)，或(huo)是(shi)作為(wei)定期日常(chang)維護，建議對(dui)膜元(yuan)件(jian)進(jin)行清洗(xi)。

當反滲透系統（或裝置）出現以(yi)下癥狀時，需要進(jin)行化學清洗或物理沖(chong)洗：

在正常給水(shui)壓力下(xia)，產水(shui)量較正常值下(xia)降(jiang)10～15%；

為維持正常的(de)產(chan)水(shui)量，經溫度校正后(hou)的(de)給水(shui)壓(ya)力增加(jia)10～15%；

產水水質降(jiang)低(di)10～15%，透鹽率增加10～15%；

給水壓力增加10～15%；

系統各段(duan)之間壓差明(ming)顯增加(jia)。

保持穩定的運(yun)行參數(shu)(shu)主要是(shi)指產水(shui)流量、產水(shui)背壓、回(hui)收率、溫度及TDS。如(ru)果這些運(yun)行參數(shu)(shu)起(qi)伏不定，建議檢查是(shi)否有污染發生(sheng)，或者(zhe)在關(guan)鍵運(yun)行參數(shu)(shu)有變(bian)化的前提下反滲透的實(shi)際(ji)運(yun)行是(shi)否正常。

定時監(jian)測系統整體(ti)性能是確認膜(mo)元(yuan)件是否(fou)已發生(sheng)污(wu)染(ran)的(de)基本方(fang)(fang)法。污(wu)染(ran)對膜(mo)元(yuan)件的(de)影(ying)響(xiang)是漸(jian)進的(de)，并且(qie)影(ying)響(xiang)的(de)程(cheng)度取決于污(wu)染(ran)的(de)性質。表(biao)1“反(fan)滲透膜(mo)污(wu)染(ran)特征及處理(li)方(fang)(fang)法”列出了(le)常見的(de)污(wu)染(ran)現象和相(xiang)應處理(li)方(fang)(fang)法。

已(yi)受污染的(de)(de)反滲透膜的(de)(de)清(qing)洗周(zhou)期(qi)根據現(xian)場實際情況而定。正常的(de)(de)清(qing)洗周(zhou)期(qi)是每(mei)3-12個月一次。

當膜元件僅(jin)僅(jin)是發生了輕度污(wu)染(ran)時，重要的(de)是清(qing)洗膜元件。重度污(wu)染(ran)會因阻礙化(hua)學藥劑深入滲透(tou)至污(wu)染(ran)層，影(ying)響清(qing)洗效果。

清洗(xi)何(he)種污(wu)染物以及如何(he)清洗(xi)要根據現場污(wu)染情(qing)況而進(jin)行(xing)。對(dui)于幾種污(wu)染同(tong)時存在(zai)的復雜情(qing)況，清洗(xi)方(fang)法是采(cai)用低PH和高(gao)PH的清洗(xi)液交(jiao)替清洗(xi)（應先低PH后高(gao)PH值清洗(xi)）。

2 污染情況分析

碳酸鈣垢：

碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)鈣(gai)垢(gou)是一種(zhong)礦物(wu)結(jie)垢(gou)。當阻垢(gou)劑(ji)/分散劑(ji)添加系(xi)統出(chu)現故障時，或是加酸(suan)(suan)(suan)pH調(diao)節系(xi)統出(chu)故障而引(yin)起給(gei)水pH增高時，碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)鈣(gai)垢(gou)有可能(neng)沉(chen)積(ji)出(chu)來。盡早地檢測(ce)碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)鈣(gai)垢(gou)，對于防止膜(mo)層(ceng)表(biao)面(mian)沉(chen)積(ji)的(de)晶體(ti)(ti)損傷(shang)膜(mo)元件是極(ji)為(wei)必要(yao)的(de)。早期(qi)檢測(ce)出(chu)的(de)碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)鈣(gai)垢(gou)可由降低給(gei)水的(de)pH值(zhi)至3~5，運行1~2小(xiao)時的(de)方法去(qu)除。對于沉(chen)積(ji)時間長的(de)碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)鈣(gai)垢(gou)，可用低pH值(zhi)的(de)檸檬酸(suan)(suan)(suan)溶液(ye)清洗去(qu)除。

硫酸鈣(gai)、硫酸鋇、硫酸鍶垢：

硫酸(suan)鹽(yan)垢(gou)是比碳酸(suan)鈣垢(gou)硬很多的礦物(wu)質(zhi)垢(gou)，且不易(yi)去除。硫酸(suan)鹽(yan)垢(gou)可在(zai)阻(zu)垢(gou)劑(ji)/分散劑(ji)添加系統出現故障(zhang)或加硫酸(suan)調節(jie)pH時沉(chen)積(ji)出來。盡(jin)早(zao)地檢測硫酸(suan)鹽(yan)垢(gou)對于防(fang)止膜層表面(mian)沉(chen)積(ji)的晶體損傷膜元件是極為(wei)必要的。硫酸(suan)鋇(bei)和硫酸(suan)鍶垢(gou)較難(nan)去除，因(yin)為(wei)它們幾乎在(zai)所有(you)的清洗溶液中難(nan)以(yi)溶解，所以(yi)，應加以(yi)特別的注(zhu)意以(yi)防(fang)止此類結(jie)垢(gou)的生成。

金屬氧化物/氫氧化物污染：

典型的金屬(shu)氧化(hua)物和金屬(shu)氫(qing)氧化(hua)物污染為(wei)鐵、鋅、錳、銅、鋁(lv)等。這(zhe)種垢的形成(cheng)導因(yin)可能是裝置管路、容器(罐(guan)/槽(cao))的腐蝕產(chan)物，或(huo)(huo)是空氣中氧化(hua)的金屬(shu)離(li)子、氯(lv)、臭氧、鉀、高錳酸鹽，或(huo)(huo)是由在預(yu)處理過濾(lv)系統中使用鐵或(huo)(huo)鋁(lv)助(zhu)凝劑所(suo)致。

聚合硅(gui)垢：

硅(gui)(gui)凝膠層垢(gou)由溶解性(xing)硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)過飽和(he)態及(ji)聚合(he)物(wu)所致，且非常難(nan)以去除。需要注意的(de)(de)(de)(de)是，這種(zhong)硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)污(wu)染(ran)不同于硅(gui)(gui)膠體(ti)(ti)物(wu)的(de)(de)(de)(de)污(wu)染(ran)。硅(gui)(gui)膠體(ti)(ti)物(wu)污(wu)染(ran)可能是由與金屬(shu)氫(qing)氧化(hua)(hua)物(wu)締合(he)或是與有機物(wu)締合(he)而造成的(de)(de)(de)(de)。硅(gui)(gui)垢(gou)的(de)(de)(de)(de)去除很(hen)艱難(nan)，可采用傳統(tong)的(de)(de)(de)(de)化(hua)(hua)學清洗方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)。如果傳統(tong)的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)不能解決這種(zhong)垢(gou)的(de)(de)(de)(de)去除問題，請與海(hai)德能公(gong)司技術部門聯系。現有的(de)(de)(de)(de)化(hua)(hua)學清洗藥劑，如氟化(hua)(hua)氫(qing)銨，已在一些項目(mu)上(shang)得到了成功的(de)(de)(de)(de)使(shi)用，但使(shi)用時須(xu)考慮此方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)操作危(wei)害和(he)對設備的(de)(de)(de)(de)損壞，加以防護措施。